E-Fuse MX5069 High-Side Driver N_FET Διαχειρίζεται αποτελεσματικά την κατανομή ισχύος για βιομηχανικά συστήματα 24V και 48V
Το MX5069 high-side N_FET πρόγραμμα οδήγησης λειτουργεί με εξωτερικό MOSFET και λειτουργεί ως ιδανικός ανορθωτής διόδου όταν συνδέεται σε σειρά με το τροφοδοτικό. Αυτός ο ελεγκτής επιτρέπει στα MOSFET να αντικαθιστούν τους ανορθωτές διόδων στα δίκτυα διανομής ισχύος, μειώνοντας την απώλεια ισχύος και την πτώση τάσης. Ο ελεγκτής MX5069 παρέχει κίνηση πύλης αντλίας φόρτισης για ένα εξωτερικό MOSFET N-καναλιού και συγκριτή γρήγορης απόκρισης για απενεργοποίηση του FET όταν το ρεύμα ρέει αντίστροφα. Το όριο ρεύματος στην εξωτερική σειρά περνάει από το N-Channel. Το MOSFET είναι προγραμματιζόμενο. Τα επίπεδα υποτάσης εισόδου και κλειδώματος υπέρτασης προγραμματίζονται από δίκτυα διαιρέτη αντίστασης. Το MX5069 επανεκκινείται αυτόματα σε σταθερό κύκλο λειτουργίας. Το MX5069 είναι διαθέσιμο σε συσκευασία 10 ακίδων DFN3*3 και MSOP10L.
Χαρακτηριστικά
* Ευρύ φάσμα λειτουργίας: 5V έως 85V
* Ρυθμιζόμενο όριο ρεύματος
* Λειτουργία διακόπτη κυκλώματος για σοβαρά συμβάντα υπερέντασης
* Εσωτερική αντλία φόρτισης υψηλής πλευράς και οδηγός πύλης για εξωτερικό MOSFET N καναλιών
* Γρήγορη απόκριση 50 s στην τρέχουσα αντιστροφή
* Ρυθμιζόμενο κλείδωμα υπότασης (UVLO)
* Ρυθμιζόμενο κλείδωμα υπέρτασης (OVP)
* Ενεργή χαμηλή ανοικτή αποστράγγιση POWER GOOD έξοδος
* Διατίθεται με αυτόματη επανεκκίνηση
* Συσκευασία 10-Pin DFN3*3-10L και MSOP10
Εφαρμογές
* Συστήματα backplane διακομιστή
* Συστήματα διανομής ηλεκτρικής ενέργειας σταθμού βάσης
* Διακόπτης κυκλώματος στερεάς κατάστασης
* Βιομηχανικά συστήματα 24V και 48V
Πληροφορίες παραγγελίας
| Αριθμός ανταλλακτικού |
Περιγραφή |
| MX5069D |
DFN3*3-10L |
| MX5069MS |
MSOP10L |
| MPQ |
3000 τεμ |
Διασπορά πακέτων ραηχώ
| Πακέτο |
RθJA (℃/W) |
| DFN3*3-10L |
50 |
| MSOP10 |
156 |
Απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες
| Παράμετρος |
Αξία |
| VIN σε GND |
-0,3 έως 90V |
| SENSE, OUT στο GND |
-0,3 έως 90V |
| ΠΥΛΗ προς ΓΝΔ |
-0,3 έως 100V |
| OUT σε GND (1ms παροδικό) |
-0,3 έως 95V |
| UVLO προς GND |
-0,3 έως 90V |
| OVP, PGD σε GND |
-0,3 έως 7V |
| VIN to SENSE |
-0,3 έως 0,3 V |
| ILIM προς GND |
-0,3V έως 3,5V |
| Μέγιστη θερμοκρασία διασταύρωσης, TJMAX |
150 ℃ |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης, Tstg |
-65 έως 150℃ |
Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή. Εκθεση σε
Οι απόλυτες μέγιστες συνθήκες αξιολόγησης για εκτεταμένες περιόδους ενδέχεται να επηρεάσουν την αξιοπιστία. Λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε οποιαδήποτε
δεν υπονοούνται συνθήκες πέρα από αυτές που αναφέρονται στην ενότητα Συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας.
Συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίαςιόν
| Σύμβολο |
Σειρά |
| Τάση τροφοδοσίας |
5 έως 85 V |
| PGD off τάση |
0 έως 5 V |
| Τάση ILIM |
2,7V μέγ |
| Θερμοκρασία διασταύρωσης |
-40 έως 125℃ |
Εκχωρήσεις τερματικού
| PIN ΑΡ. |
Όνομα PIN |
Περιγραφή |
| MSOP 10 |
DFN3*3 |
| 1 |
10 |
ΕΝΝΟΙΑ |
Είσοδος ανίχνευσης ρεύματος: Η τάση στην αντίσταση αίσθησης ρεύματος (RS) μετράται από το VIN σε αυτόν τον ακροδέκτη. |
| 2 |
9 |
VIN |
Θετική είσοδος τροφοδοσίας: Ένας μικρός κεραμικός πυκνωτής παράκαμψης κοντά σε αυτόν τον πείρο συνιστάται για την καταστολή των μεταβατικών φαινομένων που συμβαίνουν όταν το ρεύμα φορτίου είναι απενεργοποιημένο. |
| 3 |
1 |
UVLO/EN |
Αυτή είναι μια ακίδα ελέγχου διπλής λειτουργίας. Όταν χρησιμοποιείται ως ακροδέκτης ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗΣ και τραβηχτεί προς τα κάτω, κλείνει το εσωτερικό MOSFET διέλευσης.
Ως UVLOpin, μπορεί να χρησιμοποιηθεί για τον προγραμματισμό διαφορετικών σημείων απενεργοποίησης UVLO μέσω εξωτερικού διαχωριστή αντίστασης.
|
| 4 |
2 |
OVP |
Κλείδωμα υπέρτασης: Ένας εξωτερικός διαχωριστής αντίστασης από την τάση εισόδου του συστήματος ορίζει το όριο απενεργοποίησης υπέρτασης. Το κατώφλι απενεργοποίησης στον ακροδέκτη είναι 1,23 V. |
| 5 |
8 |
GND |
Γείωση κυκλώματος |
| 6 |
3 |
SST |
Ένας πυκνωτής από αυτό το pinto GND ρυθμίζει το ρυθμό ολίσθησης της τάσης εξόδου. |
| 7 |
4 |
ΙΛΙΜ |
Ορισμός ορίου ρεύματος: Μια εξωτερική αντίσταση συνδεδεμένη σε αυτήν την ακίδα, σε συνδυασμό με μια αντίσταση ανίχνευσης ρεύματος για την επίτευξη προστασίας από υπερένταση. |
| 8 |
5 |
PGD |
Ένδειξη ισχύος καλής λειτουργίας: Μια έξοδος ανοιχτής αποστράγγισης. |
| 9 |
7 |
ΕΞΩ |
Ανάδραση εξόδου: Συνδέστε στη ράγα εξόδου (εξωτερική πηγή MOSFET). |
| 10 |
6 |
ΠΥΛΗ |
Έξοδος κίνησης πύλης: Συνδέστε στην πύλη του εξωτερικού MOSFET. Η τάση αυτής της ακίδας είναι συνήθως 12 V πάνω από την ακίδα OUT όταν είναι ενεργοποιημένη. |
Ηλεκτρικός χαρακτήραςριστικές
VIN = 12V, UVLO=2V, OVP = GND, TJ = 25°C, εκτός εάν σημειώνεται διαφορετικά.
| Σύμβολο |
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ |
ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΔΟΚΙΜΗΣ |
MIN |
TYP |
ΜΕΓ |
ΜΟΝΑΔΑ |
| ΕΙΣΟΔΟΣ (PIN VIN) |
| VIN |
|
|
5 |
|
85 |
V |
| IQON |
Ρεύμα τροφοδοσίας |
Ενεργοποιημένο: EN/UVLO = 2V |
0,50 |
0,70 |
0,9 |
mA |
| IQOFF |
EN/UVLO = 0V |
0,50 |
0,60 |
0,70 |
mA |
| EN/UVLO |
| UVLOR |
Τάση κατωφλίου UVLO |
εξέγερση |
|
1,57 |
|
V |
| UVLOF |
Τάση κατωφλίου UVLO |
πέφτοντας |
|
1,40 |
|
V |
| IUVLO |
Ρεύμα διαρροής UVLO |
EN/UVLO = 0V |
|
-2.6 |
|
uA |
| tDUVLO |
Καθυστέρηση UVLO |
Καθυστέρηση στο GATE ψηλά |
|
840 |
|
μας |
| Καθυστέρηση στο GATE χαμηλό |
|
3.4 |
|
μας |
| OVP PINS |
| OVPR |
Τάση κατωφλίου OVP |
Εξέγερση |
|
1.23 |
|
V |
| OVPF |
Τάση κατωφλίου OVP |
Πτώση |
|
1.14 |
|
V |
| tDOVP |
Καθυστέρηση OVP |
Καθυστέρηση στο GATE ψηλά |
|
13.8 |
|
μs |
| Καθυστέρηση στο GATE χαμηλό |
|
4.4 |
|
| IOVP |
Ρεύμα πόλωσης OVP |
|
0 |
|
2 |
μΑ |
| OUT PIN |
| IOUT-EN |
Ρεύμα πόλωσης OUT, ενεργοποιημένο |
OUT = VIN |
|
10 |
|
μΑ |
| IOUT-DIS |
Ρεύμα πόλωσης OUT, απενεργοποιημένο |
Απενεργοποιημένο, OUT = 0V, SENSE = VIN |
|
22 |
|
| GATE CONTROL (PIN GATE) |
| |
Ρεύμα πηγής |
Κανονική λειτουργία |
1 |
32 |
40 |
μΑ |
| IGATE |
Ρεύμα βύθισης |
UVLO < 1,40V |
|
0.1 |
|
uA |
| VIN to SENSE = 150mV |
|
2 |
|
ΕΝΑ |
| VGATE |
Τάση εξόδου πύλης σε κανονική λειτουργία |
GATE-OUT τάση |
8 |
10 |
14 |
V |
| VSD(REV) |
Αντίστροφο Όριο VSD VIN < VOUT |
VIN - VOUT |
-20 |
-12 |
-1 |
mV |
| tSD(REV) |
Χρόνος απενεργοποίησης πύλης για όπισθεν |
|
|
36 |
|
ns |
| ΤΡΕΧΟΝ ΟΡΙΟ |
| ΙΙΛΙΜ |
ILIM Ρεύμα φόρτισης |
|
|
20 |
|
uA |
| ΚΑ |
|
|
|
40 |
|
mV/mV |
| SST (SST PIN) |
| ISST |
SST Ρεύμα φόρτισης |
Κανονική λειτουργία |
0 |
2 |
5 |
uA |
| RSST |
SST Αντίσταση εκφόρτισης |
|
60 |
75 |
90 |
Ω |
| VSSTmax |
SST μέγιστη τάση πυκνωτή |
|
|
5.2 |
|
V |
| GAINSST |
Κέρδος SST προς GATE |
|
|
33 |
|
V/V |
| PGD |
| VPGD |
Χαμηλή τάση εξόδου |
ISINK = 2mA |
|
140 |
180 |
mV |
| IPGD |
Απενεργοποίηση ρεύματος διαρροής |
VPGD = 5V |
0 |
μΑ |
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!
